ショットキーバリアダイオード

ショットキーバリアダイオードとは、ホットキャリアダイオードとしても知られる、半導体と金属の接合によって形成される半導体ダイオードの事。ショットキーダイオードの語源はドイツの物理学者ヴァルター・H・ショットキーにちなんで名付けられた。順方向電圧降下が低く、スイッチング動作が非常に高速である。 初期の電力利用で使用されていた無線、および金属整流器の発明初期に用いられていたキャッツウィスカー検波器は、ショットキーダイオードの原型と言われている。十分な順方向電圧が印加されると、順方向に向かって電流が流れる。 シリコンp-nダイオードの標準的な順方向電圧が600〜700mVである一方、ショットキーの順方向電圧は150〜450mV。 ショットキーのより低い順方向電圧要件により、より速いスイッチング速度と、より優れたシステムの効率化が可能になる。